报告导读
随着5G通信、智能驾驶、人工智能等潮流兴起，SOI技术凭借高性能、低功效的优势，带动SOI硅片需求量大幅增加。
基于SOI材料的FD-SOI是先进工艺（28nm以下）两大技术路线之一，也是国内突破先进工艺的方案之一：
1、基于SOI的两大技术路线：RF-SOI技术用于5G射频芯片，FD-SOI开启28nm以下先进制程 RF-SOI：相较于传统的GaAs和SOS技术，不仅成本更低、集成度更高，还发挥了SOI材料结构的优势，所实现的器件具有高品质、低损耗、低噪声等射频性能，主要用于制造智能手机和无线通信设备上的射频前端芯片。
FD-SOI：FinFET和FD-SOI是发展先进工艺（28nm以下）的两大解决方案。FinFET技术路线的先进工艺带来了工艺复杂、工序繁多、良率下降等问题，使得在28 nm以下制程的每门成本不降反升。FD-SOI技术路线逐渐得到业界关注。
理论上，利用DUV光刻机制造的FD-SOI产品，可以达到与采用EUV光刻机制造的FinFET产品相当的性能。
2、材料：核心技术由法国Soitec掌握，中国大陆加快追赶步伐
国外：300mm的SOI硅片核心技术由法国Soitec掌握，日本信越化学、SUMCO、中国台湾环球晶圆等少数企业具备生产能力。
国内：沪硅产业旗下子公司获得Soitec技术授权，公司于2022年2月完成50亿定增，其中20亿元投入高端硅基材料研发。
项目完成后，沪硅产业将建立300mm高端硅基材料的供应能力，并完成40万片/年的产能建设，加快在SOI领域的追赶步伐。
3、代工：工艺由格罗方德、意法半导体、三星等主导
意法半导体于2012年推出了28 nm FD-SOI工艺平台，并于2014年将该技术平台授权给三星。
格罗方德于2017年发布了22 nm FD-SOI代工平台，截至2020年年底已实现营收45 亿美元，交付芯片超过3.5 亿颗。
格罗方德于2018年投产的12 nm FD-SOI代工平台生产的产品几乎拥有10 nm FinFET 工艺产品同等的性能，但功耗和生产成本却比16 nm FinFET工艺产品还低。
报告正文
预测1：成熟工艺将成为国内晶圆厂扩产主力军；
预测2：全球半导体产业政策进入密集区；
预测3：Chiplet将成为跨越制程鸿沟的主线技术；
预测4：FD-SOI将为国内开启先进制程大门提供可能；
预测5：RISC-V将引领国产CPU IP突破指令集封锁；
预测6：反全球化持续，中国半导体内循环开启；
预测7：终端厂商及设计公司向产业链前端渗透；
预测8：智能座舱将成为电车智能化主战场；
预测9：芯片去库存继续推进，周期拐点已至；
预测10：国产化5.0推进，建立中国半导体生态系统。
分析师：陈杭
联系人：安子超 18611396466
来源：浙商证券新科技研究团队
文章来源: 浙商证券新科技研究团队
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