5月12日，杭州乾晶半导体有限公司（以下简称“乾晶半导体”）宣布，在大尺寸SiC单晶生长及其衬底制备方面取得突破：采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）法生长了厚度达27mm的8英寸n型SiC单晶锭，并加工获得了8英寸SiC衬底片。

资料显示，乾晶半导体成立于2020年7月，是专注于第三代半导体领域，集SiC单晶生长、衬底加工和设备开发为一体的高新技术企业。该公司脱胎于著名半导体材料专家杨德仁院士指导下的浙江大学杭州国际科创中心（以下简称：浙大科创中心）先进半导体院SiC衬底项目，项目在SiC衬底的研发制备上曾取得了系列研究成果。

另外，乾晶半导体的核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室，还与浙大科创中心先进半导体研究院成立了联合实验室，共同承担SiC材料的产业化任务。

2021年11月，乾晶半导体首批SiC衬底正式进行工艺验证。据当时消息显示，乾晶半导体研发的SiC衬底通过公司内部品质检验，达到同行业产品质量标准。首批样品于2021年11月3日正式提供客户端进行工艺验证。当时，乾晶半导体便已与中国及日本公司达成战略合作意向，可为国内外客户提供4、6英寸SiC晶棒及衬底。

随着SiC单晶及衬底制备能力的进一步突破，乾晶半导体的研发实力和发展前景也逐渐获得资本市场的认可。2022年上半年，乾晶半导体获得千万级天使投资，后于2023年1月完成亿元Pre-A轮融资，资金主要用于SiC衬底的技术创新和批量生产。如今，乾晶半导体成功研制了8英寸SiC单晶和衬底，成功跻身8英寸SiC俱乐部。

业界皆知，由于SiC单晶生长速度慢、良率低，且SiC单晶切磨抛等加工难度大、良率低，衬底制备环节成为目前国产SiC产业的瓶颈，价格居高不下，在整个产业链中的成本占比超过50%，导致整体SiC产品成本持续处在较高水平。

在此背景下，乾晶半导体团队努力攻克了SiC单晶生长和加工的难题，特别是实现了碳化硅单晶的更快和更厚生长，显著提升了SiC衬底的出片率，据称量产后的成本有望显著下降。